- 0.11 미크론 1기가 D램 상용화 기술개발
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│ 회로선폭 0.11미크론의 1기가 D램을 상용화할 수 있는 │
│새로운 기술이 업계 최초로 삼성전자에 의해 발표되었다. │
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│ 현재 상용화된 기술은 회로선폭 0.13미크론의 512메가 │
│D램으로 1기가 D램 생산을 위해서는 0.1미크론 이하의 │
│회로선폭 공정기술의 개발이 선행되어야 할 것이라는 기존 │
│반도체 업계의 예상을 깨뜨린 것이어서 더욱 주목받고 있다.│
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│ 이번에 발표된 1기가 D램 상용제품 기술은 산화알루미늄 │
│박막의 채용과 요철개념을 적용한 새로운 구조의 커패시터 │
│개발로 0.11미크론 가공 공정에서 상용화를 가능하게 한 │
│것이다. │
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│ 특히 금번 기술개발은 0.1 미크론 이하 공정기술 적용시 │
│필수적으로 교체해야하는 포토장비 및 감광제 등의 교체 │
│없이 1기가 D램 반도체의 상용제품 생산을 가능하게 │
│하였기 때문에 신규설비 투자금액을 획기적으로 줄일 수 │
│있어 기가급 D램 반도체 시대를 크게 앞당길 것으로 예상 │
│된다. │
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○ 회로선폭은 반도체 재료인 웨이퍼에 새겨지는 회로의 두께로 선폭이
미세할수록 반도체의 집적도를 높일 수 있기 때문에 반도체 업계에서는
미세화 기술개발에 많은 노력을 기울이고 있다.

○ 현재 상용화되고 있는 회로선폭은 0.13㎛(1㎛은 1백만분의 1m)인데
이를 0.11㎛로 미세화한 것은 고집적의 실현에 획기적이라고 할 수
있다.

○ 현재 상용기술은 회로선폭 0.13㎛의 512MD램으로 1GD램으로 집적도를
높이기 위해서는 회로선폭의 미세화와 함께 D램의 전하저장 소자인
커패시터의 크기는 작게 하여야 하며 정전용량은 크게 하여야 한다.

○ 이를 위하여 삼성전자는 금번 기술개발에 PAOCS 개념의 커패시터를
개발하였는데,

- 커패시터의 하부전극을 기존의 폴리실리콘(Poly-Si) 대신에 루테늄
(Ru)을 사용하여 2배 이상의 정전용량을 확보하였으며

- 커패시터의 유전물질을 기존의 탄탈륨(Ta2O5) 대신에 유전율이
크면서도 반응성이 낮아 안정한 산화알루미늄(Al2O3)을 사용하였고

- 전극의 면적을 확대하는 효과를 얻기 위하여 극판을 요철 형태로
가공한 것이 특징이다.

○ 특히 이번에 개발된 기술은 노광설비와 감광액을 교체할 필요가 없이
기존의 반도체 생산장비를 이용하여 회로선폭 0.11㎛ 1GD램의 상용화
성공에 큰 의미가 있으며 우리의 반도체 공정기술이 수위에 위치하고
있음을 대내외에 과시하였다고 볼 수 있다.

※ PAOCS(Poly-crystalline & Amorphous One Cylinder Structure) :
실린더 구조의 캐패시터의 내부면에만 Rugged Poly(凹凸 형태로
가공해 면적을 증대시키는 기술)를 형성시키는 기술로서, 구조간
결함 없이 높은 정전용량 확보가 가능함.

** 문의 : 심사4국 반도체(1)심사담당관실
김동원 사무관. 전화 042)481-5728